توضیحات تکمیلی
نوع رابط حافظه | PCIe Gen5x4, NVMe 2.0 |
---|---|
کنترل کننده | PHISON E26 |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 1,500,000 (IOPS) |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | 1,400,000 (IOPS) |
سایر قابلیتها | قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد |
ظرفیت | دو ترابایت |
میانگین عمر | تا 1,600,000 ساعت |
نوع حافظه فلش | 3D NAND |
قابلیتهای حافظه | پشتیبانی از TRIM |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 10,000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 10,000 مگابایت بر ثانیه |