توضیحات تکمیلی
| وزن | 10 گرم |
|---|---|
| نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| کنترل کننده | Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,600,000 IOPS |
| ظرفیت | چهار ترابایت |
| حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G |
| میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت |
| نوع حافظه فلش | TLC |
| قابلیت‌های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | Up to 6,900 MB/s |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | Up to 7,450 MB/s |
| قابلیت‌های مقاومتی | مقاوم در برابر شوک |
| سرعت انتقال اطلاعات | 10 گیگابیت بر ثانیه |
| مصرف برق | Average: 6.5 W |
| رابط‌ها | PCI-Express 4.0 x4 |
